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  • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    15

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级（jí）结技术（shù）的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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