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  • 漏（lòu）源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    通道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    PDFN8*8/-55~125

    描（miáo）述（shù）：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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