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  • 漏(lòu)源电压BV DSS (V)(Min.):

    650

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    190

    最大漏极(jí)电流Id(on)(A):

    20

    通(tōng)道(dào)极性:

    N沟道

    封(fēng)装/温度(℃):

    TO-252-3L/-55~125

    描述:

    650V,190mΩ,20A,N沟道基(jī)于超级结技术的功率(lǜ)MOSFET



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