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  • 漏（lòu）源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描述：

    600V，190mΩ，20A，N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET


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