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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    83

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    99

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    40

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    600V，99mΩ，40A，N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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