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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    70

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    74

    最大漏（lòu）极（jí）电流Id(on)(A)：

    47

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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